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場發射情況掃描電子顯微鏡 檢測辦事中心面向集成電路、電子元器件、半導體、PCBA、LED、汽車電子、新資料等,爲客戶供給包含無損剖析、生效剖析、物感性能測試、微納剖析、靠得住性與壽命評價、工藝制程等在內的技術處理計劃。


QQ截圖20170106132555

型號:Quanta 400 FEG

廠家:美國FEI

重要用處1.可在高真空、低真空(130Pa)、情況真空(Pa)下視察導電和不導電樣品,對資料的外面和橫截面的微不雅描寫、成份停止剖析,普遍運用于金屬資料、高份子資料、半導體資料、納米資料等範疇;
2.裝備的Apollo40 SDD能譜無需液氮制冷,可停止疾速的點、線、面散布剖析,取得能譜的mapping圖譜;
3.其樣品室直徑達284 mm,關於直徑達四英寸硅片可以直接停止測試,無需對樣品停止朋分處置;
4.附件MonoCL3+陰極熒光譜儀不只可以丈量資料微區在電子束激起下的發光光譜,並且可以停止成像 顯示,從而可以對樣品的禁帶寬度、雜質缺點等停止表征,獲得更加豐碩的信息;
5.可以丈量資料的電子束感生電流(EBIC),從而取得資料外部構造缺點等信息,與陰極熒光丈量互爲彌補。
重要設置裝備擺設1. MonoCL3+陰極熒光譜儀,波長規模160-930nm2.電子束感生電流(EBIC)
3.STEM探測器4.Apollo 40 SDD能譜儀
5.液氮冷台,溫度規模爲-185℃- +200℃6.液氦冷台,溫度規模爲6K-300K
機能目標1.肖特基場發射電子槍2.加快電壓:200V-30 kV
3.縮小倍數:12-2,000,0004.分辯率
高真空- 0.8nm at 30kV (STEM)- 1.2nm at 30kV (SE)
- 2.5nm at 30kV (BSE)- 3.0nm at 1kV (SE)
低真空- 1.5nm at 30kV (SE)- 2.5nm at 30kV (BSE)
- 3.0nm at 3kV (SE)
情況真空- 1.5nm at 30kV (SE)
樣品室284mm,5軸馬達台
EDS分辯率優于136 eV,可剖析包含B5以上的壹切元素

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